Данный доклад посвящен сканирующей туннельной микроскопии (СТМ), передовому методу исследования поверхности материалов на атомном уровне. Рассматриваются физические принципы, лежащие в основе работы СТМ, включая туннельный эффект и взаимодействие зонда с исследуемой поверхностью. Будут подробно рассмотрены различные режимы работы микроскопа, методики подготовки образцов и типы используемых зондов. Особое внимание уделяется практическому применению СТМ в различных областях науки и технологий, включая нанотехнологии и материаловедение.