Содержимое раздела
В данном разделе будет подробно рассмотрена физика процессов, происходящих в биполярных транзисторах. Будет описана структура транзисторов NPN и PNP, принцип инжекции и переноса носителей заряда, формирование тока коллектора и тока базы. Рассмотрены различные режимы работы транзистора (активный, насыщенный, отсечки), их характеристики и области применения. Будут представлены ключевые уравнения, описывающие статические и динамические характеристики транзисторов. Особое внимание уделено влиянию температуры на параметры транзисторов.