Данный исследовательский проект посвящен изучению поведения и характеристик микроэлектронных компонентов при воздействии экстремально низких температур, то есть в условиях криоэлектроники. Будет проведен детальный анализ влияния криогенных сред на параметры таких элементов, как транзисторы, интегрированные схемы и сверхпроводящие устройства. Основное внимание уделяется выявлению закономерностей деградации или улучшения производительности, поиску новых материалов и технологий для создания более надежных и эффективных криогенных электронных систем. Результаты исследования будут иметь важное значение для развития квантовых вычислений, высокопроизводительной электроники и космических технологий, где низкие температуры являются неотъемлемой частью рабочего процесса.