Данный исследовательский проект посвящен детальному изучению и моделированию явления гистерезиса в сегнетоэлектрических материалах. Проект предполагает комплексный подход, включающий анализ теоретических основ, разработку вычислительных моделей и их верификацию посредством сравнения с экспериментальными данными. Основной акцент будет сделан на физических механизмах, лежащих в основе гистерезисного поведения, таких как доменная структура, взаимодействие между доменами и влияние внешних полей. Особое внимание будет уделено разработке численных методов, позволяющих эффективно моделировать динамику доменов и предсказывать основные характеристики гистерезисной петли. В рамках проекта планируется использовать современные методы компьютерного моделирования, включая, но не ограничиваясь, методом конечных элементов и методами Монте-Карло. Полученные результаты будут сопоставлены с данными, полученными в ходе экспериментальных исследований, что позволит оценить адекватность разработанных моделей и выявить основные факторы, влияющие на гистерезисное поведение сегнетоэлектриков. Проект направлен на расширение понимания процессов, происходящих в сегнетоэлектриках, и может быть полезен для разработки новых функциональных материалов.