В разделе объясняется, почему полупроводники стали основой современной электроники и чем их электрические свойства отличаются от свойств металлов и диэлектриков. Формулируются проблема, цель, задачи и методы проекта, а также обозначается связь темы с работой компьютеров, смартфонов, датчиков, светодиодов и солнечных батарей.

Пункт посвящён строению атомов и кристаллической решётки полупроводников, понятию валентных электронов, энергетических зон и запрещённой зоны. Рассматриваются кремний, германий и соединения типа арсенида галлия, а также объясняется, почему температура, освещение и состав вещества влияют на количество свободных носителей заряда.

Здесь раскрывается механизм собственной проводимости, при котором в чистом материале возникают пары электрон–дырка. Затем сравниваются донорные и акцепторные примеси, формирование полупроводников n- и p-типа, основные и неосновные носители заряда, а также значение легирования для управления сопротивлением и характеристиками электронных приборов.

Раздел описывает процессы на границе областей p- и n-типа: диффузию носителей, появление обеднённого слоя и внутреннего электрического поля. Объясняются прямое и обратное включение диода, его вольт-амперная характеристика, выпрямление переменного тока и применение обычных, стабилитронных, фотодиодных и светодиодных приборов.

В пункте рассматриваются устройство биполярного и полевого транзисторов, назначение их выводов и принцип управления током. Показано, как транзисторы работают в режимах усиления и ключа, а также каким образом множество миниатюрных элементов объединяется в интегральные схемы, микропроцессоры и запоминающие устройства.

Практическая часть включает сборку низковольтной цепи со светодиодом или другим безопасным полупроводниковым элементом. Учащиеся измеряют напряжение и ток, наблюдают влияние полярности и сопротивления, фиксируют данные в таблице, строят простой график и сопоставляют результат с теоретическим объяснением работы p-n-перехода.

Раздел систематизирует области использования полупроводников: вычислительную технику, мобильную связь, бытовую электронику, автоматизацию, медицину, энергетику и транспорт. Отдельно объясняется назначение диодов, транзисторов, светодиодов, фотодиодов, солнечных элементов и датчиков, а примеры связываются с конкретными устройствами повседневной жизни.

В этом пункте сопоставляются теоретические ожидания и результаты опыта, анализируются возможные источники погрешности и ограничения выбранной схемы. Также рассматриваются перспективы развития полупроводниковой техники: уменьшение размеров транзисторов, создание энергоэффективных материалов, развитие силовой электроники, фотоники и гибкой электроники.

Заключительный раздел обобщает сведения о строении и проводимости полупроводников, роли примесей и работе p-n-перехода. В нём связываются результаты практического исследования с принципами действия диодов, транзисторов и других приборов, формулируется значение изученных закономерностей для понимания современной электронной техники.

В разделе приводятся учебники по физике, справочные материалы, публикации научно-популярных изданий и официальные технические источники, использованные при подготовке проекта. Для каждого ресурса необходимо указать автора или организацию, название, год публикации и электронный адрес, если материал был найден в интернете.