Содержимое раздела
Детальное рассмотрение физических процессов, происходящих в полупроводниках, включая образование зон энергетических уровней, определение концентрации носителей заряда, подвижности носителей, рекомбинации и другие явления, влияющие на электрические свойства полупроводников. Анализ влияния примесей на электрические свойства полупроводников, включая образование n- и p-типов проводимости. Описание основных типов полупроводниковых приборов, таких как диоды, транзисторы и тиристоры, и принципов их работы. Необходимо провести математическое обоснование принципов работы полупроводниковых приборов, используя основные законы физики твердого тела.