В этом пункте объясняется, почему проводимость полупроводников интересна для школьного изучения и связана с работой электронных устройств. Формулируются проблема, цель и задачи проекта, обозначаются объект и предмет исследования, а также кратко описывается план теоретической и практической частей.

Раздел знакомит с понятием полупроводника и сравнивает его электрические свойства с металлами и диэлектриками. В нём рассматриваются примеры материалов, строение кристаллической решётки и условия, от которых зависит наличие подвижных носителей заряда, чтобы подготовить основу для дальнейшего объяснения проводимости.

Здесь раскрывается механизм переноса электрического заряда электронами и дырками. Объясняется, как при получении энергии электрон может покинуть связь с атомом и оставить свободное место, а также почему движение такого незаполненного состояния удобно описывать как движение положительного носителя заряда.

Пункт посвящён факторам, меняющим число носителей и сопротивление полупроводника. Рассматриваются нагревание, поглощение света и введение примесных атомов, а также различия между материалами n- и p-типа. Эти сведения нужны, чтобы объяснить результаты опыта и связать их с работой датчиков и других компонентов.

В практической части выбирается конкретный объект исследования: например, терморезистор или фоторезистор. Описываются необходимые приборы, схема подключения, измеряемые величины и порядок изменения температуры либо освещённости; отдельно указываются меры безопасности и условия, которые следует сохранять постоянными.

В разделе пошагово описывается выполнение серии измерений при нескольких значениях выбранного внешнего фактора. Показания сопротивления или напряжения фиксируются вместе с температурой либо освещённостью, а повторные замеры помогают заметить случайные отклонения и получить более надёжный набор данных для анализа.

Здесь результаты измерений приводятся в таблицу и изображаются на графике с подписанными осями и единицами измерения. Анализируется направление зависимости, сравниваются наблюдения с теоретическим объяснением и обсуждаются возможные погрешности, например непостоянство освещения, задержка датчика или неточность прибора.

Заключительный практический раздел связывает исследованное свойство с устройствами, использующими полупроводниковые материалы. На конкретных примерах терморезистора, фоторезистора, фотодиода или диода объясняется, какую величину прибор воспринимает, как меняется его электрический отклик и для каких задач такое поведение используют.

В заключении кратко сопоставляются поставленные задачи и полученные результаты, формулируется ответ на вопрос о влиянии температуры или света на проводимость выбранного материала. Указывается, подтвердились ли теоретические ожидания, какие ограничения имел эксперимент и что можно изменить при его повторении или расширении.

В этом разделе перечисляются использованные учебники физики, справочники по полупроводниковым материалам, инструкции к измерительным приборам и проверенные электронные источники. Для каждого источника указываются автор или организация, название, год издания либо дата обращения, чтобы читатель мог проверить сведения и при необходимости повторить исследование.