Содержание
- Введение 1
- Теоретические основы роста кристаллов полупроводников 2
- - Термодинамика и кинетика процессов кристаллизации 2.1
- - Дефекты кристаллической структуры полупроводников 2.2
- - Сегментация и контролируемая кристаллизация 2.3
- Метод Чохральского (Czochralski) 3
- - Технологический процесс метода Чохральского 3.1
- - Преимущества и недостатки метода Чохральского 3.2
- - Особенности выращивания кремниевых и германиевых кристаллов 3.3
- Зонная плавка и эпитаксиальный рост 4
- - Зонная плавка: принцип и применение 4.1
- - Эпитаксиальный рост: методы и особенности 4.2
- - Сравнительный анализ методов получения полупроводниковых пластин 4.3
- Практические примеры и области применения 5
- - Полупроводниковые пластины для солнечной энергетики 5.1
- - Полупроводниковые пластины для светодиодов 5.2
- - Полупроводниковые пластины для микроэлектроники 5.3
- Заключение 6