Содержание
- Введение 1
- Основы теории полупроводников и формирование зонной структуры 2
- - Энергетическая зонная структура и уровни загрязнений 2.1
- - Понятие уровня Ферми и его роль в электропроводности 2.2
- - Баланс носителей заряда и уравнение Больцмана 2.3
- Физические основы МДП структур и их характеристики 3
- - Интерфейсные состояния и влияние на потенциал 3.1
- - Влияние диэлектрической проницаемости на электростатическое поле 3.2
- - Механизмы переноса заряда в МДП структурах 3.3
- Математические модели и методы моделирования распределения потенциала 4
- - Уравнение Пуассона и его применение 4.1
- - Метод конечных элементов (МКЭ) для решения уравнений 4.2
- - Метод конечных разностей (МКР) и его особенности 4.3
- Практическое моделирование распределения потенциала в конкретной МДП структуре 5
- - Выбор параметров структуры для моделирования 5.1
- - Результаты численного моделирования и анализ данных 5.2
- - Сравнение с теоретическими расчетами и экспериментальными данными 5.3
- Заключение 6
- Список литературы 7