Содержимое раздела
В этом подразделе рассматриваются различные полупроводниковые материалы, используемые в оптоэлектронных устройствах, такие как кремний, германий, арсенид галлия и другие соединения. Обсуждаются их физические свойства, включая ширину запрещенной зоны, подвижность носителей заряда и оптические характеристики. Рассматривается влияние выбора материала на характеристики оптоэлектронных устройств, такие как спектральная чувствительность и скорость работы. Приводятся примеры конкретных материалов, применяемых в фотодиодах, фототранзисторах и светодиодах.