Содержание
- Введение 1
- Теоретические основы растровой туннельной микроскопии 2
- - Квантовый туннельный эффект и его роль в РТМ 2.1
- - Взаимодействие зонд-образец: типы зондов и их характеристики 2.2
- - Режимы работы РТМ: постоянный ток и постоянная высота 2.3
- Методы подготовки образцов для растровой туннельной микроскопии 3
- - Требования к образцам: электропроводность и чистота поверхности 3.1
- - Методы подготовки проводящих и полупроводниковых образцов 3.2
- - Предотвращение артефактов и повреждений поверхности образца 3.3
- Получение и обработка изображений в растровой туннельной микроскопии 4
- - Формирование изображений и основные параметры сканирования 4.1
- - Методы калибровки и коррекции изображений 4.2
- - Визуализация и анализ данных РТМ 4.3
- Практическое применение растровой туннельной микроскопии 5
- - Изучение наноструктур и материалов: примеры и результаты 5.1
- - Определение электрических свойств материалов методом РТМ 5.2
- - РТМ в биологии и медицине: перспективы и достижения 5.3
- Заключение 6
- Список литературы 7