"Физика (базовый уровень)", Белага В.В., Ломаченков И.А., Панебратцев Ю.А.
Полупроводник — материал, чья способность проводить ток меняется при нагревании, освещении и добавлении примесей. К таким материалам относятся кремний и германий. В отличие от металлов, при нагревании чистого полупроводника его сопротивление обычно уменьшается: появляется больше свободных электронов и дырок. Добавляя примеси, получают материалы с преобладанием электронов или дырок, а на границе таких областей создают p–n-переход — основу полупроводникового диода.
Текст подготовлен нейронной сетью по теме параграфа и не заменяет учебник — важные факты и формулировки сверяйте с ним.
Полупроводник — материал, проводимость которого заметно зависит от температуры, освещения и примесей. К полупроводникам относятся, например, кремний и германий. Металлы хорошо проводят ток благодаря большому числу свободных электронов, а диэлектрики почти не имеют подвижных носителей. Полупроводники занимают промежуточное положение, но их особенность — возможность сильно менять проводимость.
Электронно-дырочная проводимость — перенос заряда свободными электронами и дырками. Дыркой называют отсутствие электрона в связи между атомами; при перемещении соседних электронов это отсутствие как бы движется по материалу. Дырка ведёт себя как подвижный носитель положительного заряда, поэтому для описания тока не приходится отслеживать перемещение каждого электрона в связях.
Примесная проводимость возникает, когда в полупроводник вводят небольшое количество атомов другого вещества. Донорные примеси могут отдавать дополнительные электроны, а акцепторные захватывают электроны из связей, оставляя дырки. Такое различие позволяет целенаправленно менять число и тип основных носителей заряда.
Электронная и дырочная проводимость — два типа примесной проводимости. В n-полупроводнике основными носителями служат электроны, а в p-полупроводнике — дырки. Буквы n и p указывают на преобладающий тип подвижного заряда, а не на заряд всего образца.
В чистом полупроводнике атомы образуют упорядоченную структуру, а их валентные электроны участвуют в связях с соседними атомами. При низкой температуре почти все такие электроны остаются связанными, поэтому свободных носителей мало. Если носитель не может перемещаться по веществу, он почти не переносит заряд через весь образец. По этой причине холодный чистый полупроводник проводит слабо.
При нагревании часть электронов получает достаточно энергии, чтобы покинуть связь. Освободившийся электрон может перемещаться по кристаллу, а на его прежнем месте остаётся незаполненная связь — дырка. Соседний электрон способен занять это место, оставив дырку уже в другой связи, поэтому дырка перемещается по материалу. В электрическом поле электроны и дырки движутся направленно, и их движение создаёт ток.
Чтобы изменить проводимость, в кристалл вводят атомы примеси. Если у примесного атома есть лишний валентный электрон, он может сравнительно легко стать свободным; такая примесь называется донорной. Она увеличивает число электронов, и получается n-полупроводник. Акцепторный атом, напротив, может принять электрон из соседней связи, оставив подвижную дырку, поэтому возникает p-полупроводник.
При повышении температуры в чистом полупроводнике больше электронов получает энергию для выхода из связей. Каждый такой переход создаёт пару носителей — электрон и дырку, поэтому их концентрация возрастает. Чем больше подвижных носителей, тем легче переносится заряд и тем меньше обычно сопротивление образца. У металлов при нагревании сопротивление, как правило, увеличивается, поэтому температурное поведение этих материалов различается.
Если соединить области p- и n-типа, на границе между ними образуется p–n-переход. Носители взаимодействуют вблизи границы, и там возникает область, которая мешает их дальнейшему движению. При прямом включении внешнее напряжение облегчает прохождение носителей через переход, а при обратном — затрудняет его. Поэтому ток через диод заметно зависит от направления включения.
| Характеристика | Чистый полупроводник | n-полупроводник | p-полупроводник |
|---|---|---|---|
| Причина появления носителей заряда | Разрыв связей при получении энергии, например при нагревании | Отдача электронов донорной примесью | Образование дырок из-за акцепторной примеси |
| Основные носители заряда | Электроны и дырки в сопоставимых количествах | Электроны | Дырки |
| Роль примеси | Примеси нет | Донор увеличивает число свободных электронов | Акцептор увеличивает число дырок |
| Изменение проводимости при нагревании | Обычно возрастает | Обычно возрастает | Обычно возрастает |
Сначала найдите в таблице причину появления носителей: она помогает отличить нагревание чистого материала от введения примеси. Затем сравните основные носители, чтобы определить тип примесной проводимости. Указанное изменение при нагревании относится к обычному поведению полупроводников; конкретная проводимость зависит также от состава и условий.
Задача 1. В чистом полупроводнике при нагревании число свободных электронов увеличилось. Нужно определить, какие ещё носители появились и что произойдёт с сопротивлением. Здесь важно вспомнить, что электрон не просто отделяется от атома: он покидает связь, а на её месте возникает дырка. Увеличение числа подвижных носителей облегчает перенос заряда.
Ответ: вместе со свободными электронами образуются дырки; сопротивление полупроводника обычно уменьшается.
Задача 2. В кремний добавили примесь, атомы которой имеют на один валентный электрон больше, чем атомы кремния. Определим вид примеси и основные носители заряда. Для этого сравним число валентных электронов примесного атома и атома кремния: лишний электрон может не понадобиться для образования связей. Такой электрон легче становится свободным носителем.
Ответ: примесь донорная, проводимость электронная, кремний становится n-полупроводником; основные носители заряда — электроны.
Задача 3. Полупроводниковый диод включили сначала в прямом, затем в обратном направлении. Требуется сравнить токи и объяснить различие. Диод содержит p–n-переход, и внешнее напряжение по-разному влияет на движение носителей в зависимости от полярности. Поэтому нельзя считать, что замена полюсов лишь меняет направление одинакового тока.
Ответ: в прямом направлении диод проводит значительно лучше, чем в обратном, потому что напряжение по-разному влияет на p–n-переход.
Неверно представлять дырку отдельной частицей, похожей на электрон. Такую картину легко принять из-за того, что дырке приписывают положительный заряд, однако физически это незаполненное место в связи, которое перемещается благодаря переходам соседних электронов. Проверка: если в описании говорится о дырке, спросите себя, какой электрон оставил это место. Так становится понятно, почему дырка — удобная модель подвижного носителя.
Можно перепутать направление движения электронов с направлением условного тока. Электроны имеют отрицательный заряд, поэтому их движение направлено противоположно принятому направлению тока; положительные дырки движутся вместе с ним. Ошибка возникает, если считать, что любой носитель движется по направлению тока. Проверить ответ можно, отдельно указав знак заряда носителя и направление его движения.
Обозначение n иногда ошибочно трактуют как признак отрицательного заряда всего образца. На самом деле оно говорит о преобладании электронов среди подвижных носителей, а не о суммарном заряде вещества. Образец в целом нейтрален: заряды носителей уравновешиваются зарядами неподвижных частей кристалла. Проверка проста: различайте тип проводимости и электрический заряд тела.
Ещё одна ошибка — считать, что добавление примеси заряжает весь полупроводник. Примесь меняет концентрацию подвижных носителей, но материал в целом сохраняет электрическую нейтральность. Путаница появляется из-за слов «отдаёт электрон» или «создаёт дырку», если не учитывать остальные заряды в кристалле. Проверяя рассуждение, спрашивайте не только о носителях, но и о суммарном заряде образца.
Для понимания полупроводников нужно знать строение атома, роль валентных электронов и то, как образуются связи между атомами. Представление об электрическом токе как о направленном движении заряженных частиц помогает объяснить, почему носители переносят заряд. Также нужно различать направление движения электронов и условного тока. Эти знания пригодятся при изучении диодов, выпрямителей и других электронных приборов, где свойства полупроводников используют для управления током.
Что называют дыркой в полупроводнике?
Дырка — это место, где в связи между атомами не хватает электрона. Когда соседний электрон занимает это место, дырка как бы перемещается в обратную сторону и ведёт себя как подвижный положительный носитель заряда.
Почему нагревание увеличивает проводимость полупроводника?
При нагревании электроны получают энергию и могут покинуть связи с атомами. При этом образуются свободные электроны и дырки, поэтому носителей заряда становится больше, а проводимость обычно возрастает.
Чем n-полупроводник отличается от p-полупроводника?
В n-полупроводнике примесь создаёт избыток подвижных электронов, и они являются основными носителями заряда. В p-полупроводнике основные носители — дырки, возникающие из-за акцепторной примеси.
Означает ли n-тип, что весь образец заряжен отрицательно?
Нет, образец в целом электрически нейтрален. Обозначение n указывает только на то, что среди подвижных носителей в нём преобладают электроны.
Почему полупроводниковый диод лучше проводит ток в одном направлении?
Диод содержит границу между областями p- и n-типа — p–n-переход. При прямом включении эта граница пропускает ток значительно лучше, а при обратном включении препятствует движению основных носителей.
70. Электрический ток в полупроводниках