"Физика (базовый уровень)", Генденштейн Л.Э., Булатова А.А., Корнильев И.Н., Кошкина А.В.
Полупроводники — вещества, чья способность проводить ток занимает промежуточное положение между металлами и диэлектриками. Их проводимость можно изменять нагреванием и добавлением примесей, поэтому из них создают диоды и другие электронные приборы. Ток в полупроводнике переносят свободные электроны и дырки — незаполненные места в связях, ведущие себя как положительные носители. Главное свойство p–n-перехода, границы областей разного типа проводимости, — преимущественное прохождение тока в одном направлении.
Текст подготовлен нейронной сетью по теме параграфа и не заменяет учебник — важные факты и формулировки сверяйте с ним.
Полупроводник — вещество, проводимость которого промежуточна между проводимостью металлов и диэлектриков и заметно зависит от температуры и примесей. К полупроводникам относятся, например, кремний и германий. Такая зависимость позволяет управлять их свойствами, поэтому полупроводники используют в электронных приборах.
Электронно-дырочная проводимость — перенос заряда свободными электронами и дырками. Дырка — незаполненное место в связи между атомами, которое ведёт себя как положительный носитель. Понятие помогает учитывать не только движение электронов, но и перемещение заряда при перестройке связей.
Примесная проводимость — проводимость, возникающая из-за введённых в полупроводник примесей, увеличивающих число свободных электронов или дырок. Донорные примеси дают дополнительные электроны, а акцепторные создают дырки. Управляя видом примеси, можно заранее задать, какие носители будут основными.
p–n-переход — граница между областями полупроводника с дырочной и электронной проводимостью. Его свойство — пропускать ток преимущественно в одном направлении — используют в диодах. Направление включения определяет, будет переход проводить ток или почти запирать его.
В чистом полупроводнике электроны связаны с атомами и участвуют в образовании связей. При нагревании часть электронов получает энергию, достаточную, чтобы покинуть связь и стать свободными. На освободившемся месте остаётся дырка, поэтому каждый такой процесс создаёт сразу два носителя заряда. Чем сильнее нагревание, тем больше электронно-дырочных пар может возникнуть.
Если поместить полупроводник в электрическое поле, свободные электроны начнут двигаться против направления поля, а дырки — по направлению поля. Это различие связано со знаками зарядов: электрон отрицателен, а дырка условно положительна. Условное направление тока принято считать направлением движения положительных зарядов. Поэтому движение электронов против него и движение дырок по нему создают ток одного направления.
Нагревание увеличивает число носителей, которые могут переносить заряд. При неизменном электрическом поле большее число носителей создаёт более сильный ток, то есть проводимость возрастает. Сопротивление связано с тем, насколько трудно получить ток заданной силы при приложенном напряжении, поэтому при нагревании чистого полупроводника оно обычно уменьшается. У металлов изменение температуры приводит к противоположному обычному результату: их сопротивление, как правило, растёт.
Примесные атомы специально вводят в кристалл, чтобы изменить число носителей. Если атом примеси имеет больше валентных электронов, чем атом кремния, один электрон может оказаться слабо связанным и стать свободным. Такая примесь называется донорной, а полупроводник становится n-типа: его основные носители — электроны. Если электронов для связей не хватает, примесь принимает электрон из соседней связи и оставляет там дырку; это акцепторная примесь, а материал становится p-типа с основными носителями-дырками.
Когда области p- и n-типа соединяют, на границе возникает p–n-переход. При прямом включении внешнее напряжение помогает носителям двигаться через границу, поэтому через переход проходит заметный ток. При обратном включении поле затрудняет такое движение, и переход почти запирает ток. Различие токов при двух направлениях напряжения позволяет диоду пропускать ток преимущественно в одну сторону.
| Вид полупроводника | Как возникают носители | Основные носители заряда | Как меняется проводимость при нагревании |
|---|---|---|---|
| Чистый полупроводник | Нагревание освобождает электроны из связей; возникают пары «электрон — дырка». | Электроны и дырки | Обычно возрастает, так как увеличивается число носителей. |
| Полупроводник n-типа | Донорные атомы отдают дополнительные электроны. | Электроны | Обычно возрастает; нагревание дополнительно создаёт носители. |
| Полупроводник p-типа | Акцепторные атомы принимают электроны и оставляют дырки. | Дырки | Обычно возрастает; нагревание дополнительно создаёт носители. |
В таблице сравнивайте прежде всего способ появления носителей и их основной тип: у чистого материала участвуют оба вида, а у легированных преобладает один. Нагревание в каждом случае способствует росту проводимости. Основные носители — не единственные возможные носители, а те, которых больше и чей вклад обычно важнее.
Полупроводник нагрели. Нужно определить, как изменятся число свободных носителей заряда и сопротивление. Рассматриваем обычный чистый полупроводник и сравниваем его состояние до и после нагревания. Причину изменения ищем в появлении электронов и дырок.
Ответ: свободных носителей станет больше, сопротивление полупроводника обычно уменьшится. Это вывод для полупроводника при обычных условиях, а не универсальное правило для всех материалов. Проверка рассуждения проста: больше носителей — легче перенести заряд.
Кремний легировали примесью, атомы которой имеют на один валентный электрон больше, чем атомы кремния. Требуется назвать тип проводимости и основные носители заряда. Здесь важно сравнить число валентных электронов и понять, что происходит с дополнительным электроном. Слово «легировали» означает, что в материал специально ввели примесные атомы.
Ответ: кремний приобретает электронную проводимость n-типа; основные носители — электроны. Знак n связан именно с отрицательным зарядом основных носителей, а не с тем, что примесь сама по себе обязательно имеет отрицательный заряд. Проверить ответ можно по цепочке «лишний электрон — донор — n-тип».
К полупроводниковому диоду приложили напряжение сначала в прямом, затем в обратном направлении. Нужно сравнить токи и объяснить различие. Диод содержит p–n-переход, поэтому важны не только величина напряжения, но и направление его включения. В прямом включении напряжение помогает носителям проходить границу областей.
Ответ: ток при прямом включении заметный, а при обратном — очень малый. Важно не говорить, что обратный ток всегда строго равен нулю: формулировка «почти запирает» точнее. Такой вывод и объясняет, почему диод проводит преимущественно в одном направлении.
Неверно считать дырку отдельной частицей, такой же, как электрон. Эту ошибку допускают, потому что дырку удобно изображать как положительный носитель, хотя физически это незаполненное место в связи. Проверьте себя вопросом: «Что именно перемещается?» — соседние электроны перестраивают связи, а дырка описывает результат этого движения.
Иногда считают, что токи от электронов и дырок направлены противоположно, потому что сами носители движутся в разные стороны. Но электрон отрицателен, поэтому его движение противоположно условному току, тогда как положительная дырка движется вместе с ним. Чтобы проверить направление, учитывайте одновременно и направление движения, и знак заряда носителя.
Обозначения n- и p-типа порой связывают со знаком заряда примеси или всего кристалла. На самом деле они указывают на основные носители: электроны в n-типе и дырки в p-типе. Проверка проста: вспомните, что донор отдаёт электрон, а акцептор создаёт дырку, и только после этого определяйте тип проводимости.
Ещё одна ошибка — считать, что диод одинаково хорошо проводит в обоих направлениях. Так рассуждают, если забывают, что p–n-переход по-разному реагирует на прямое и обратное включение. Сверьте направление напряжения с поведением границы: прямое включает заметный ток, обратное почти запирает его.
Для понимания полупроводников нужно знать, что такое электрический ток и каково направление условного тока. Также пригодятся сведения о строении атома: они помогают объяснить, почему электрон может освободиться от связи, а примесный атом — отдавать или принимать электрон. Эти понятия связывают микроскопическое движение носителей с наблюдаемым током в цепи.
Свойства p–n-перехода объясняют действие полупроводникового диода — прибора, который проводит ток преимущественно в одном направлении. Это служит основой для дальнейшего изучения полупроводниковых приборов и электрических цепей с ними. Понимание роли носителей помогает разбираться, как изменение температуры и состава материала влияет на работу прибора.
Что такое дырка в полупроводнике?
Дырка — это незаполненное место в связи между атомами, которое появляется, когда электрон покидает связь. Перемещение соседних электронов создаёт эффект движения дырки, поэтому её описывают как положительный носитель заряда.
Почему полупроводник лучше проводит ток при нагревании?
При нагревании больше электронов получают энергию, достаточную для освобождения от связей. Вместе с ними появляются дырки, число носителей растёт, а сопротивление обычно уменьшается.
Чем отличаются полупроводники n-типа и p-типа?
В полупроводнике n-типа основными носителями заряда служат электроны, которые появляются благодаря донорной примеси. В полупроводнике p-типа основные носители — дырки, возникающие из-за акцепторной примеси.
Почему электроны и дырки движутся в разные стороны, а токи от них направлены одинаково?
Электроны имеют отрицательный заряд и движутся против направления условного тока. Дырки — положительные носители: они движутся по направлению условного тока, поэтому вклад обоих видов носителей в ток направлен одинаково.
Почему диод пропускает ток преимущественно в одном направлении?
Диод содержит p–n-переход, который при прямом включении позволяет носителям проходить через границу областей. При обратном включении переход почти запирает ток, поэтому он значительно слабее.
§ 34. Электрический ток в полупроводниках